长江存储研制128层QLC闪存成功,单颗容量1.33Tb

前言:存储芯片是我国重大科技项目,由国家半导体大基金扶持三家国内科技公司科研攻关。可谓 “十年磨一剑”!

4月13日,长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
长江存储研制128层QLC闪存成功,单颗容量1.33Tb
作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量,同时拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。
QLC是继TLC(3 bit/cell)后3D NAND新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元 ,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”,一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间,每个房间住4“人”,共可容纳约14,660亿“人”居住,是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。
 

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